高端射频器件:AlN基FBAR滤波器的设计、工艺与制造

2024 第三届全国电子材料与器件大会,介绍了项目研究背景、分析了掺杂提升AlN压电性能的机制,提出了Ca-Ti共掺杂新策略、制备了具有择优取向、低应力、高均匀性的高质量Mo电极膜和AlN压电膜、掌握了中浓度Sc 掺杂 AlN 薄膜的高质量生长工艺以及实现了Mo和SiO2的小侧壁倾角刻蚀等。


关键词: 射频器件 AlN 薄膜 小侧壁倾角刻蚀 磁控溅射法 晶圆级

主讲人:程正旺 副教授 机构:湖北工业大学

时长:0:14:46 年代:2024年